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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PN | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 680 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 185 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQA7N80C_F109 | FAIRCHILD |
类似代替  |
800V N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA6N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA6N90C | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA6N90C_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA6N90C_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA6N90C_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA6N90C-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，6 A，2.3 Ω，TO-3P |
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| FQA70N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
|
| FQA70N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQA70N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，70 A，23 mΩ，TO-3P |
|
| FQA70N10_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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