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FQA6N90

更新时间: 2024-11-05 22:20:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 766K
描述
900V N-Channel MOSFET

FQA6N90 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:TO-3P, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.13
雪崩能效等级(Eas):715 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6.4 A
最大漏极电流 (ID):6.4 A最大漏源导通电阻:1.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):198 W最大脉冲漏极电流 (IDM):25.6 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQA6N90 数据手册

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FQA6N90 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQA8N90C_F109 FAIRCHILD

类似代替

900V N-Channel MOSFET
FQA8N90C FAIRCHILD

类似代替

900V N-Channel MOSFET
FQA8N90C-F109 FAIRCHILD

功能相似

N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 Ω

与FQA6N90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA6N90C FAIRCHILD

获取价格

900V N-Channel MOSFET
FQA6N90C_06 FAIRCHILD

获取价格

900V N-Channel MOSFET
FQA6N90C_07 FAIRCHILD

获取价格

900V N-Channel MOSFET
FQA6N90C_F109 FAIRCHILD

获取价格

900V N-Channel MOSFET
FQA6N90C-F109 ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,6 A,2.3 Ω,TO-3P
FQA70N08 FAIRCHILD

获取价格

80V N-Channel MOSFET
FQA70N10 FAIRCHILD

获取价格

100V N-Channel MOSFET
FQA70N10 ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,70 A,23 mΩ,TO-3P
FQA70N10_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQA70N15 FAIRCHILD

获取价格

N-Channel Power MOSFET