是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-3P | 包装说明: | TO-3P, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.13 |
雪崩能效等级(Eas): | 715 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.4 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.4 A | 最大漏源导通电阻: | 1.9 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 198 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 25.6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQA8N90C_F109 | FAIRCHILD |
类似代替 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA8N90C | FAIRCHILD |
类似代替 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA8N90C-F109 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 Ω |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQA6N90C | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA6N90C_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA6N90C_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA6N90C_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA6N90C-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,6 A,2.3 Ω,TO-3P | |
FQA70N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET | |
FQA70N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQA70N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,70 A,23 mΩ,TO-3P | |
FQA70N10_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQA70N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |