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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQA65N20_NL
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FQA65N20_NL

更新时间： 2024-09-15 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 625K
描述
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN

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FQA65N20_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：1010 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：65 A最大漏源导通电阻：0.032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQA65N20_NL 数据手册

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August 2001  
TM  
QFET  
FQA65N20  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supply, DC-AC converters for  
uninterrupted power supply, motor control.  
•
•
•
•
•
•
65A, 200V, R  
= 0.032Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 170 nC)  
Low Crss ( typical 90 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-3P  
FQA Series  
!
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQA65N20  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
65  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
41  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
260  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
1010  
65  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
31  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
310  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
2.5  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.4  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
40  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2001  
12345678

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