是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-3P | 包装说明: | TO-3P, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.66 |
雪崩能效等级(Eas): | 820 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 55 A |
最大漏极电流 (ID): | 55 A | 最大漏源导通电阻: | 0.026 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 214 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 220 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQP22P10 | FAIRCHILD |
功能相似 |
100V P-Channel MOSFET | |
FQPF12P10 | FAIRCHILD |
功能相似 |
100V P-Channel MOSFET | |
FQPF27P06 | FAIRCHILD |
功能相似 |
60V P-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQA48N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
FQA55N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQA55N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET | |
FQA55N25 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET、N 沟道,QFET®,250 V,55 A,40 mΩ,TO-3P | |
FQA55N25_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 250V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQA58N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET | |
FQA5N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQA5N90 | ROCHESTER |
获取价格 |
5.8A, 900V, 2.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | |
FQA62N25C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,62 A,35 mΩ,TO-3P | |
FQA62N25C | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |