是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-3P | 包装说明: | TO-3P, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.22 |
雪崩能效等级(Eas): | 660 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.8 A | 最大漏源导通电阻: | 2.3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 185 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 23.2 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQA62N25C | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,62 A,35 mΩ,TO-3P | |
FQA62N25C | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FQA62N25C_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQA62N25CPWD | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,250 V,62 A,35 mΩ,TO-3P | |
FQA65N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQA65N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQA65N20 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,65 A,32 mΩ,TO-3P | |
FQA65N20_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQA67MHZAAD00030 | FOX |
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Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN | |
FQA67MHZAAD10030 | FOX |
获取价格 |
Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN |