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FQA40N25 PDF预览

FQA40N25

更新时间: 2024-11-04 22:25:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 778K
描述
250V N-Channel MOSFET

FQA40N25 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-3PN
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.72
雪崩能效等级(Eas):800 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.07 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):280 W最大脉冲漏极电流 (IDM):160 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQA40N25 数据手册

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FQA40N25 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQA40N25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA44N08 FAIRCHILD

获取价格

80V N-Channel MOSFET
FQA44N10 FAIRCHILD

获取价格

100V N-Channel MOSFET
FQA44N10100 FAIRCHILD

获取价格

100V N-Channel MOSFET
FQA44N30 FAIRCHILD

获取价格

300V N-Channel MOSFET
FQA44N30 ONSEMI

获取价格

N 沟道 QFET® MOSFET 300V, 43.5A, 69mΩ
FQA46N15 FAIRCHILD

获取价格

150V N-Channel MOSFET
FQA46N15 ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,150V,50A,42mΩ,TO-3P
FQA46N15_07 FAIRCHILD

获取价格

150V N-Channel MOSFET
FQA46N15_F109 FAIRCHILD

获取价格

150V N-Channel MOSFET
FQA46N15_NL FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me