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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PN | 包装说明： | LEAD FREE, TO-3PN, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.042 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA46N15_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQA47P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQA48N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQA55N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQA55N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQA55N25 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET、N 沟道，QFET®，250 V，55 A，40 mΩ，TO-3P |
|
| FQA55N25_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 250V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQA58N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
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| FQA5N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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| FQA5N90 | ROCHESTER |
获取价格 |
5.8A, 900V, 2.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN |
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