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FQA24N50 PDF预览

FQA24N50

更新时间： 2024-09-12 22:25:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 726K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQA24N50 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.41
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQA24N50 数据手册

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FQA24N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与FQA24N50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA24N50F FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQA24N50F_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FQA24N60 FAIRCHILD

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 		600V N-Channel MOSFET
FQA24N60 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600V，23.5A，240 mΩ，TO-3P
FQA26N30 FAIRCHILD

获取价格

 		300V N-Channel MOSFET
FQA27N25 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 QFET® MOSFET 250V, 2.7A, 110mΩ
FQA27N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET
FQA28N15 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET
FQA28N15 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，150V，33A，90mΩ，TO-3P
FQA28N15_07 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET

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