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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 4.55 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A | 最大漏极电流 (ID)： | 33 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 227 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 132 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQA28N15_F109 | FAIRCHILD |
类似代替  |
150V N-Channel MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA28N15_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQA28N15_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQA28N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQA28N50 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，28.4 A，160 mΩ，TO-3 |
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| FQA28N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQA30N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQA30N40 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400V，30A，140mΩ，TO-3P |
|
| FQA32N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQA32N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，32 A，82 mΩ，TO-3P |
|
| FQA33N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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