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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQA28N50F
FQA28N50F PDF预览

FQA28N50F

更新时间： 2024-09-12 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 649K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQA28N50F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28.4 A
最大漏极电流 (ID)：28.4 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：113.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQA28N50F 数据手册

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September 2001  
TM  
FRFET  
FQA28N50F  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
where the body diode is used such as phase-shift ZVS,  
basic full-bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
•
28.4A, 500V, R  
= 0.16Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 110 nC)  
Low Crss ( typical 60 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Fast recovery body diode ( max, 250ns )  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
TO-3P  
FQA Series  
!
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQA28N50F  
500  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
28.4  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
18  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
113.6  
± 30  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1300  
28.4  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
31  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
17  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
310  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
2.5  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.4  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
40  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2001  
12345678

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FQA28N50F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQA28N50 FAIRCHILD

完全替代

 500V N-Channel MOSFET
FQA28N50 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，28.4 A，160 mΩ，TO-3
STW28NM50N STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh

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