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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQA28N50
FQA28N50 PDF预览

FQA28N50

更新时间： 2024-09-12 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 754K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQA28N50 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28.4 A
最大漏极电流 (ID)：28.4 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：310 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：113.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQA28N50 数据手册

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FQA28N50 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQA28N50F FAIRCHILD

完全替代

 500V N-Channel MOSFET
FQA28N50 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，28.4 A，160 mΩ，TO-3
STW28NM50N STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh

与FQA28N50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA28N50F FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQA30N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQA30N40 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400V，30A，140mΩ，TO-3P
FQA32N20C FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQA32N20C ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，32 A，82 mΩ，TO-3P
FQA33N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQA33N10L FAIRCHILD

获取价格

 		100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQA34N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQA34N20L FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQA34N25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V N-Channel MOSFET

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