5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | TO-3P, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 430 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 163 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 144 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA34N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQA34N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQA34N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| FQA35N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQA36P15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V P-Channel MOSFET |
|
| FQA36P15 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-150 V，-36 A，90 mΩ，TO-3P |
|
| FQA36P15_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V P-Channel MOSFET |
|
| FQA36P15_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V P-Channel MOSFET |
|
| FQA38N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQA38N30 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ |
|
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
