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FQA27N25 PDF预览

FQA27N25

更新时间： 2024-09-12 22:11:15
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 758K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQA27N25 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.46
雪崩能效等级（Eas）：600 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：108 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQA27N25 数据手册

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FQA27N25 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQA24N60 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600V，23.5A，240 mΩ，TO-3P
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect

与FQA27N25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA28N15 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET
FQA28N15 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，150V，33A，90mΩ，TO-3P
FQA28N15_07 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET
FQA28N15_F109 FAIRCHILD

获取价格

 		150V N-Channel MOSFET
FQA28N50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQA28N50 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，28.4 A，160 mΩ，TO-3
FQA28N50F FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQA30N40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQA30N40 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400V，30A，140mΩ，TO-3P
FQA32N20C FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET

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