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FQA24N50F

更新时间： 2024-09-14 22:25:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 620K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQA24N50F 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PN包装说明：TO-3PN, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.9
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQA24N50F 数据手册

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September 2001  
TM  
FRFET  
FQA24N50F  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
where the body diode is used such as phase-shift ZVS,  
basic full-bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
•
24A, 500V, R  
= 0.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 90 nC)  
Low Crss ( typical 55 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Fast recovery body diode ( max, 250ns )  
D
!
"
! "  
"
G !  
"
TO-3P  
FQA Series  
!
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQA24N50F  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
24  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
15.2  
96  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
1100  
24  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
29  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
15  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
290  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
2.33  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.43  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
40  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2001  
12345678

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FQA24N50F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD6N95K5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect
IXFK64N50P IXYS

功能相似

 Polar Power MOSFET HiPerFET
STW20NK50Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与FQA24N50F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA24N50F_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
FQA24N60 FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET

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