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FQA19N20C

更新时间： 2024-11-05 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 872K
描述
200V N-Channel MOSFET

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FQA19N20C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3PN包装说明：TO-3PN, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：433 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：21.8 A
最大漏极电流 (ID)：21.8 A最大漏源导通电阻：0.17 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：180 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：87.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQA19N20C 数据手册

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QFET®  
FQA19N20C  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
Features  
•
•
•
•
•
•
21.8A, 200V, RDS(on) = 0.17Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 40.5 nC)  
Low Crss ( typical 85 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
D
{
●
◀
▲
●
●
{
G
TO-3P  
{
S
FQA Series  
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQA19N20C  
200  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
21.8  
13.8  
87.2  
A
A
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
VGSS  
EAS  
IAR  
EAR  
dv/dt  
PD  
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
± 30  
433  
21.8  
18.0  
5.5  
180  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
1.45  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
0.69  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
0.24  
--  
40  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2004  
12345678

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FQA19N20C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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