5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTD6415ANLT4G
NTD6415ANLT4G PDF预览

NTD6415ANLT4G

更新时间： 2024-09-14 12:19:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 265K
描述
N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mΩ, Logic Level

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTD6415ANLT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369AA-01, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.52
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：226807Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369CSamacsys Released Date：2016-01-25 14:39:58
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：79 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.056 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD6415ANLT4G 数据手册

 浏览型号NTD6415ANLT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTD6415ANLT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTD6415ANLT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTD6415ANLT4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTD6415ANLT4G的Datasheet PDF文件第6页 
NTD6415ANL  
N--Channel Power MOSFET  
100 V, 23 A, 56 mΩ, Logic  
Level  
Features  
Low RDS(on)  
http://onsemi.com  
100% Avalanche Tested  
AEC--Q101 Qualified  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
56 mΩ @ 4.5 V  
52 mΩ @ 10 V  
100 V  
23 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain--to--Source Voltage  
Gate--to--Source Voltage -- Continuous  
Symbol  
Value  
100  
±20  
23  
Unit  
V
D
V
DSS  
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current  
Steady  
State  
T
= 25C  
= 100C  
= 25C  
I
A
C
D
G
T
C
16  
Power Dissipation  
Steady  
State  
T
C
P
83  
W
S
D
Pulsed Drain Current  
t
= 10 ms  
I
80  
A
p
DM  
4
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-- 5 5 t o  
+175  
C  
stg  
2
1
Source Current (Body Diode)  
I
23  
79  
A
S
3
Single Pulse Drain--to--Source Avalanche  
E
mJ  
AS  
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
Energy (V = 50 Vdc, V = 10 Vdc, I =  
DD  
GS  
L(pk)  
23 A, L = 0.3 mH, R = 25 Ω)  
G
Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8from Case for 10 Seconds  
T
L
260  
C  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Max  
1.8  
39  
Unit  
4 Drain  
Junction--to--Case (Drain) -- Steady State  
R
θ
C/W  
JC  
JA  
Junction--to--Ambient -- Steady State (Note 1)  
R
θ
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 sq in pad size,  
1
Gate  
3
2
Source  
Drain  
(Cu Area 1.127 sq in [2 oz] including traces).  
6415ANL = Device Code  
Y
= Year  
WW  
G
= Work Week  
= Pb--Free Package  
ORDERING INFORMATION  
Seedetailedorderingandshippinginformationinthepackage  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
March, 2010 -- Rev. 0  
NTD6415ANL/D  
123456

中文翻译

下载PDF

NTD6415ANLT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD3690 ONSEMI

类似代替

 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，22A，64mΩ
SPP21N10 INFINEON

功能相似

 SIPMOS Power-Transistor
FDD3690 FAIRCHILD

功能相似

 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

与NTD6415ANLT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTD6415ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ
NTD6416AN ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD6416AN-1G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD6416ANL ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
NTD6416ANL-1G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
NTD6416ANLT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mΩ
NTD6416ANT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 m
NTD65N03R ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK
NTD65N03R-001 ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 32 A, 25 V, 0.0146 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET
NTD65N03R-1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK

与NTD6415ANLT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证