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FDD3690

更新时间： 2024-11-04 22:13:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 85K
描述
100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD3690 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.34
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：175 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.064 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：75 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD3690 数据手册

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April 2001  
FDD3690  
100V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers.  
• 22 A, 100 V. RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 71 mΩ @ VGS = 6 V  
• Low gate charge (28nC typical)  
• Fast Switching  
These MOSFETs feature faster switching and lower  
gate charge than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications.  
• High performance trench technology for extremely  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power  
supply designs with higher overall efficiency.  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
100  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current @TC=25°C  
Pulsed  
±20  
ID  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 3)  
22  
75  
60  
PD  
W
Power Dissipation  
@TC=25°C  
@TA=25°C  
@TA=25°C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
3.8  
1.6  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
40  
96  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDD3690  
FDD3690  
13’’  
16mm  
2500 units  
FDD3690 Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corp.  
12345

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FDD3690 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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FDD3706 ROCHESTER

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 		14.7A, 20V, 0.009ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
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 		20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3706 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，50A，9mΩ
FDD3706_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
FDD37PG1E-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 37 Contact(s), Male, Solder Terminal,
FDD37PG1EL-K1019 MOLEX

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 		D Subminiature Connector, 37 Contact(s), Male, 0.109 inch Pitch, Solder Terminal, Locking,
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