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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 1.11 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 180115 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | TO-XXX (Inc. DPAK) | Samacsys Footprint Name： | DPAK (TO-252)_2 |
| Samacsys Released Date： | 2015-07-12 18:13:02 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD25NF10L | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GAT |
|
| FDD3682 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз |
|
| FDD3672 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD25NF10T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-252AA |
|
| STD25NF20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道200 V、0.10 Ohm典型值、18 A STripFET功率MOSFET |
|
| STD25P03LT4G | ONSEMI |
获取价格 |
单 P 沟道，逻辑电平，MOSFET，-30V，-25A，72mΩ |
|
| STD2640NL | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STD26NF10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate |
|
| STD26P3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI Dee |
|
| STD27 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
|
| STD27 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
|
| STD27GK08 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
|
| STD27GK08 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
|
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