STD2N50-1

更新时间： 2024-01-26 18:49:52

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
STD2N50-1 I-PAK MOSFET-TRANSIT

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STD2N50-1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD2N50-1 数据手册

STD2N50

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

< 5.5 Ω

I_D

STD2N50

500 V

2 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 4.5 Ω

AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■

THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

IPAK

TO-251

(Suffix ”-1”)

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,

MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR

INDUSTRIAL AND CONSUMER

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ENVIRONMENT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

500

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

V_{DG R}

V_GS

500

± 20

I_D

1.25

I_DM(•)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

0.36

-65 to 150

150

W/^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/10

December 1996

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD2N50T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252
STD2N95K5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA
STD2NA50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD2NA50-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-251
STD2NA50T4	ETC	获取价格	OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD2NA60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD2NA60-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 2.3A I(D) \| TO-251
STD2NA60T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 2.3A I(D) \| TO-252
STD2NB25	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 250V - 1.7ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD2NB25-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-251AA

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