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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD2N50-1
STD2N50-1 PDF预览

STD2N50-1

更新时间： 2024-11-19 23:34:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 176K
描述
STD2N50-1 I-PAK MOSFET-TRANSIT

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STD2N50-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69雪崩能效等级（Eas）：20 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：5.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD2N50-1 数据手册

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STD2N50  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 5.5 Ω  
ID  
STD2N50  
500 V  
2 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 4.5 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
CHARACTERIZATION  
1
1
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX ”T4”)  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,  
MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR  
INDUSTRIAL AND CONSUMER  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
V
V
VDG R  
VGS  
500  
± 20  
2
V
ID  
A
ID  
1.25  
8
A
IDM(•)  
Ptot  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
45  
W
Derating Factor  
0.36  
-65 to 150  
150  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
December 1996  
1234567...10

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