5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDD3672
FDD3672 PDF预览

FDD3672

更新时间： 2024-09-30 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
11页 228K
描述
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mз

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDD3672 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：TO-252AA, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.09
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：135 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD3672 数据手册

 浏览型号FDD3672的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD3672的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD3672的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD3672的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD3672的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDD3672的Datasheet PDF文件第7页 
June 2002  
FDD3672  
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET  
100V, 44A, 28mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 24mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 44A  
Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
DC/DC converters and Off-Line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 24V and 48V Systems  
High Voltage Synchronous Rectifier  
Direct Injection / Diesel Injection System  
42V Automotive Load Control  
Low Qrr Body Diode  
Optimized efficiency at high frequencies  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
Electronic Valve Train System  
Formerly developmental type 82760  
DRAIN  
(FLANGE)  
D
GATE  
SOURCE  
G
TO-252AB  
FDD SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC = 25oC, VGS = 10V)  
Continuous (TC = 100oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 52oC/W)  
Pulsed  
44  
31  
A
A
ID  
6.5  
A
Figure 4  
120  
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
mJ  
W
W/oC  
oC  
135  
PD  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-252  
1.11  
100  
52  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in2 copper pad area  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD3672 Rev. A  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

FDD3672 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD3860 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3682 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз
FDD3670 FAIRCHILD

类似代替

 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

与FDD3672相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD3672_08 FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -14A, 64m
FDD3672_11 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 2
FDD3672_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDD3672_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDD3672-F085 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，100V，44A，28mΩ
FDD3680 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3680 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，25A，46mΩ
FDD3680_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDD3682 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз
FDD3682 ONSEMI

获取价格

 		N沟道Power Trench® MOSFET，100V，32A，0.036 ohm

与FDD3672相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证