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FDD3860

更新时间： 2024-11-27 10:32:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 342K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD3860 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.46
雪崩能效等级（Eas）：121 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDD3860 数据手册

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October 2008  
FDD3860  
tm  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100V, 29A, 36mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 36mΩ at VGS = 10V, ID = 5.9A  
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
„ 100% UIL tested  
This N-Channel MOSFET is rugged gate version of Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process. This part is  
tailored for low rDS(on) and low Qg figure of merit, with avalanche  
ruggedness for a wide range of switching applications.  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ DC-AC Conversion  
„ Synchronous Rectifier  
D
D
G
G
S
D-PAK  
(TO-252)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
100  
±20  
V
V
Drain Current -Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
TA = 25°C  
29  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
6.2  
A
-Pulsed  
60  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
121  
mJ  
W
TC = 25°C  
TA = 25°C  
69  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
3.1  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.8  
40  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13’’  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDD3860  
FDD3860  
D-PAK (TO-252)  
2500 units  
1
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD3860 Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
123456

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FDD3860 替代型号

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