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STD25P03LT4G

更新时间： 2024-02-25 23:26:00
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 160K
描述
单 P 沟道，逻辑电平，MOSFET，-30V，-25A，72mΩ

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STD25P03LT4G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 369C-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.12Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：75 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD25P03LT4G 数据手册

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NTD25P03L  
Power MOSFET  
−25 Amp, −30 Volt  
Logic Level P−Channel DPAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications and to  
withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The  
source−to−drain diode recovery time is comparable to a discrete fast  
recovery diode.  
http://onsemi.com  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
−30 V  
51 mW @ 5.0 V  
−25 A  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
P−Channel  
D
Typical Applications  
• PWM Motor Controls  
• Power Supplies  
• Converters  
G
• Bridge Circuits  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
−30  
V
4
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
Drain  
V
GSM  
"15  
"20  
V
GS  
− Non−Repetitive (tp ≤ 10 ms)  
V
Vpk  
4
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
−25  
−75  
A
Apk  
A
D
2
1
− Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
I
p
DM  
3
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
75  
W
A
D
2
1
Gate  
3
Drain  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+150  
°C  
stg  
Source  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
200  
mJ  
°C/W  
°C  
AS  
4
Energy − Starting T = 25°C  
J
Drain  
(V = 25 Vdc, V = 5.0 Vdc,  
DD  
GS  
4
Peak I = 20 Apk, L = 1.0 mH, R = 25 W)  
L
G
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
R
R
R
1.65  
67  
120  
q
JC  
JA  
JA  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
q
1
2
3
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, (1/8 in from case for 10 seconds)  
T
260  
L
1
2
3
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 0.5 sq in pad size.  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
pad size.  
Gate Drain Source  
Y
= Year  
= Work Week  
= Device Code  
= Pb−Free Package  
WW  
25P03L  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 3  
NTD25P03L/D  
1234567...9

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STD25P03LT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD25P03LT4G ONSEMI

当前型号

 单 P 沟道，逻辑电平，MOSFET，-30V，-25A，72mΩ
NTD25P03LRLG ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt
NTD25P03LG ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
STD2640NL SAMHOP N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

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