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STD2N95K5

更新时间： 2024-11-21 14:57:43

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
15页	704K
描述
N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

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STD2N95K5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	950 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STD2N95K5 数据手册

STD2N95K5

Datasheet

N-channel 950 V, 4.2 Ω typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Features

TAB

DS(on)

max.

Order code

STD2N95K5

950 V

5 Ω

2 A

•

Industry’s lowest R_DS(on)x area

Industry’s best FoM (figure of merit)

Ultra-low gate charge

DPAK

D(2, TAB)

100% avalanche tested

Zener-protected

G(1)

Applications

•

Switching applications

S(3)

Description

AM01476v1_tab

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5

technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a

dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications

requiring superior power density and high efficiency.

Product status link

STD2N95K5

Product summary

Order code

STD2N95K5

Marking

Package

Packing

2N95K5

DPAK

Tape and reel

DS14513 - Rev 1 - November 2023

For further information contact your local STMicroelectronics sales office.

www.st.com

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与STD2N95K5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD2NA50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD2NA50-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.2A I(D) \| TO-251
STD2NA50T4	ETC	获取价格	OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD2NA60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD2NA60-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 2.3A I(D) \| TO-251
STD2NA60T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 2.3A I(D) \| TO-252
STD2NB25	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 250V - 1.7ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD2NB25-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-251AA
STD2NB25T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252AA
STD2NB40	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 400V - 3.5ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET