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STD29NF03LT4

更新时间： 2024-02-10 21:28:30
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 175K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-252AA

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STD29NF03LT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A
最大漏极电流 (ID)：29 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：116 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD29NF03LT4 数据手册

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STD29NF03L  
- 29A IPAK/DPAK  
N-CHANNEL 30V - 0.015  
Ω
LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET  
V
R
DS(on)  
I
D
TYPE  
DSS  
STD29NF03L  
30V  
<0.020Ω  
29A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.015Ω  
DS  
OPTIMAL R  
x Qg TRADE-OFF  
DS(on)  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
3
3
2
1
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4”)  
1
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
■
TO-251  
(Suffix “-1”)  
DESCRIPTION  
This application specific Power MOSFET shows the best  
trade-off between on-resistance and gate charge. When  
used as high and low side in buck regulators, it give the  
best performance in terms of both conduction and  
switching losses. This is extremely important for  
motherboards where fast switching and high efficiency  
are of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 18  
29  
V
GS  
I (•)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
25  
A
D
C
I
(• •)  
Drain Current (pulsed)  
116  
45  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.3  
120  
W/°C  
mJ  
(1)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
o
(•) Current limited by the package  
(1) Starting T = 25 C, I = 15 A, V = 15 V  
j
D
DD  
(••) Pulse width limited by safe operating area.  
February 2002  
1/10  
.
1234567...10

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