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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
16页 | 1356K | ![]() |
描述 | ||
N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD2N50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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STD2N50-1 | STMICROELECTRONICS |
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STD2N50-1 I-PAK MOSFET-TRANSIT |
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STD2N50T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
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STD2N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 3 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package |
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STD2N95K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,DPA |
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STD2NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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STD2NA50-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251 |
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STD2NA50T4 | ETC |
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OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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STD2NA60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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STD2NA60-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-251 |
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