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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 26 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD2NB50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 5ohm - 1A DPAK / IPAK PowerM |
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| STD2NB50-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 5ohm - 1A DPAK / IPAK PowerM |
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| STD2NB50T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-252AA |
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| STD2NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET |
|
| STD2NB60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET |
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| STD2NB60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET |
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| STD2NB80 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET |
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| STD2NB80-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-251AA |
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| STD2NB80T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-252AA |
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| STD2NC40 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET |
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