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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 16页 | 498K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 4.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQD2N60CTF | FAIRCHILD |
功能相似  |
N-Channel QFET® MOSFET |
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| FQD2N60CTM | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel QFET® MOSFET |
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| IRFRC20TRPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD2HNK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 4.4ヘ - 2.0A TO-92/TO-220FP/I |
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| STD2N105K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DP |
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| STD2N50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD2N50-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
STD2N50-1 I-PAK MOSFET-TRANSIT |
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| STD2N50T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
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| STD2N95K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道950 V、4.2 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA |
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| STD2NA50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD2NA50-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251 |
|
| STD2NA50T4 | ETC |
获取价格 |
OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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| STD2NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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