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STD25NF10L

更新时间： 2024-02-20 11:37:14
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
9页 454K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STD25NF10L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.68雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD25NF10L 数据手册

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STD25NF10L  
N-CHANNEL 100V - 0.030 Ω - 25A DPAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STD25NF10L  
100 V  
< 0.035 Ω  
25 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.030 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW THRESHOLD DEVICE  
LOGIC LEVEL DEVICE  
3
1
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize input capacitance and gate charge. It is  
therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended  
for any applications with low gate drive requirements  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
± 16  
25  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I (*)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
25  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
100  
100  
0.67  
20  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
E
450  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤25A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(*) Current Limited by Package  
(2) Starting T = 25 C, I = 12.5A, V = 50V  
j
D
DD  
February 2003  
1/9  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
STD25NF10LA STMICROELECTRONICS N-channel 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET

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STD25NF10LT4 STMICROELECTRONICS N-channel 100V - 0.030Ohm - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET

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