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STD25NF10LA

更新时间： 2024-01-10 07:04:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
9页 439K
描述
N-channel 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET

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STD25NF10LA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.68雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD25NF10LA 数据手册

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STD25NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.033Ω - 25A DPAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD25NF10  
100 V  
< 0.038 Ω  
25 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.033Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
DPAK  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet series realized with STMicro-  
electronics unique STripFET process has specifical-  
ly been designed to minimize input capacitance and  
gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters for Telecom and Computer application. It  
is also intended for any application with low gate  
charge drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
± 20  
25  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I (*)  
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
21  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
100  
100  
0.67  
13  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
E
(2)  
480  
AS  
T
stg  
–55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤35A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*) Current Limited by Package  
(2) Starting T = 25°C, I = 12.5A, V = 50V  
j
D
DD  
May 2002  
1/9  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
STD25NF10LT4 STMICROELECTRONICS N-channel 100V - 0.030Ohm - 25A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET

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