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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 0.92 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=180116 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=180116 | Samacsys PartID： | 180116 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/STD25NF10T4.jpg | Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/STD25NF10T4.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | TO-XXX (Inc. DPAK) | Samacsys Footprint Name： | DPAK (TO-252)_2 |
| Samacsys Released Date： | 2015-07-12 18:13:02 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 480 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STD25NF20 | STMICROELECTRONICS | 汽车级N沟道200 V、0.10 Ohm典型值、18 A STripFET功率MOSFET |
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| STD25P03LT4G | ONSEMI | 单 P 沟道，逻辑电平，MOSFET，-30V，-25A，72mΩ |
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| STD2640NL | SAMHOP | N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor |
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|
| STD26NF10 | STMICROELECTRONICS | N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate |
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|
| STD26P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI Dee |
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| STD27 | SIRECT | Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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