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FQA13N50C_F109

更新时间： 2024-09-15 19:57:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 871K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-65, TO-3PN, 3 PIN

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FQA13N50C_F109 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：860 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13.5 A
最大漏极电流 (ID)：13.5 A最大漏源导通电阻：0.48 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：218 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：54 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQA13N50C_F109 数据手册

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December 2013  
FQA13N50C_F109  
N-Channel QFET® MOSFET  
500 V, 13.5 A, 480 mΩ  
Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology. This advanced technology  
has been especially tailored to minimize on-state  
resistance, provide superior switching performance, and  
withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high  
efficiency switched mode power supplies, active power  
factor correction, electronic lamp ballasts based on half  
bridge topology.  
• 13.5 A, 500 V, RDS(on) = 480 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,  
ID = 6.75 A  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 43 nC)  
Low Crss (Typ. 20 pF)  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
D
G
G
D
TO-3PN  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted.  
C
Symbol  
Parameter  
Unit  
V
FQA13N50C_F109  
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
13.5  
8.5  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
54  
A
DM  
V
E
I
E
dv/dt  
P
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
± 30  
860  
13.5  
21.8  
4.5  
218  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
AR  
Power Dissipation (T = 25°C)  
D
C
- Derate above 25°C  
1.56  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering,  
1/8" from Case for 5 Seconds.  
J
STG  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅ  
ꢆꢇꢈꢇꢂꢉꢊꢉꢈ  
FQA13N50C_F109  
ꢋꢌꢍꢊ  
6ꢀꢀ?  
6ꢀꢀ?  
+
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.  
0.58  
40  
θꢀꢁ  
θꢀꢂ  
+
www.fairchildsemi.com  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQA13N50C_F109 Rev. C0  
1
12345678

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