是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-3P | 包装说明: | TO-3P, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.74 |
雪崩能效等级(Eas): | 950 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 700 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.56 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQA160N08 | FAIRCHILD |
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80V N-Channel MOSFET | |
FQA160N08 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,80 V,160 A,7 mΩ,TO-3P | |
FQA16MHZAAD10010 | FOX |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN | |
FQA16N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FQA16N25C | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FQA16N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQA170N06 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel MOSFET | |
FQA170N06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,60 V,170 A,5.6 mΩ,TO-3P | |
FQA17N40 | FAIRCHILD |
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400V N-CHANNEL MOSFET | |
FQA17P10 | FAIRCHILD |
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100V P-Channel MOSFET |