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FQA15N70 PDF预览

FQA15N70

更新时间: 2024-11-05 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 764K
描述
700V N- CHANNEL MOSFET

FQA15N70 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:TO-3P, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.74
雪崩能效等级(Eas):950 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:700 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.56 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQA15N70 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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100V P-Channel MOSFET