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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PN | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 860 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 218 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQA13N50CF | FAIRCHILD |
类似代替  |
500V N-Channel MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA13N50CF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQA13N50C-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET |
|
| FQA13N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA13N80_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA13N80_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA13N80_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA13N80-F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 mΩ (Max.) @ VGS |
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| FQA13N80-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 12.6A, 750mΩ |
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| FQA140N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQA140N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100V，140A，10mΩ，TO-3P |
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