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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 4.47 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1100 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA13N80-F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 mΩ (Max.) @ VGS |
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| FQA13N80-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 12.6A, 750mΩ |
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| FQA140N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQA140N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100V，140A，10mΩ，TO-3P |
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| FQA14N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
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| FQA15N70 | FAIRCHILD |
获取价格 |
700V N- CHANNEL MOSFET |
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| FQA160N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
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| FQA160N08 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，80 V，160 A，7 mΩ，TO-3P |
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| FQA16MHZAAD10010 | FOX |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN |
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| FQA16N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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