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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQA13N50CF
FQA13N50CF PDF预览

FQA13N50CF

更新时间： 2024-09-14 22:25:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 640K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQA13N50CF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.57
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：860 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.48 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：218 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FQA13N50CF 数据手册

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TM  
FRFET  
FQA13N50CF  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
15A, 500V, R  
= 0.48Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge (typical 43 nC)  
Low Crss (typical 20pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
ciency switched mode power supplies, active power factor cor-  
rection, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Fast recovery body diode (typical 100ns)  
D
!
"
! "  
"
G!  
"
TO-3P  
FQA Series  
!
S
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQA13N50CF  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
500  
15  
DSS  
I
Drain Current  
- Continuous (T = 25°C)  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
9.5  
A
C
I
Drain Current  
- Pulsed  
(Note 1)  
60  
A
DM  
V
E
Gate-Source Voltage  
± 30  
860  
V
GSS  
AS  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
mJ  
A
I
15  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
21.8  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
218  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.56  
-55 to +150  
300  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
T
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.58  
--  
θJC  
θJS  
θJA  
R
R
0.24  
--  
40  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQA13N50CF Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FQA13N50CF 替代型号

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