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FQA14N30

更新时间: 2024-09-14 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 714K
描述
300V N-Channel MOSFET

FQA14N30 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:TO-3P, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.36
雪崩能效等级(Eas):600 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A
最大漏极电流 (ID):15 A最大漏源导通电阻:0.29 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):160 W最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQA14N30 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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