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FGA20S120M

更新时间： 2024-09-18 06:59:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 793K
描述
1200V, 20A Shorted-Anode IGBT

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FGA20S120M 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.67
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：480 ns
门极发射器阈值电压最大值：7.5 V门极-发射极最大电压：25 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：348 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：865 ns标称接通时间 (ton)：301 ns
Base Number Matches：1

FGA20S120M 数据手册

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March 2010  
FGA20S120M  
tm  
1200V, 20A Shorted-Anode IGBT  
Features  
General Description  
•
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage: V  
High input impedance  
RoHS compliant  
Using advanced Field Stop Trench and shorted-anode technol-  
ogy, Fairchild’s 1200V Shorted-Anode Trench IGBTs offer supe-  
rior conduction and switching performances, and easy parallel  
operation with exceptional avalanche capability. This device is  
designed for Induction heating Microvewave Oven.  
=1.55V @ I = 20A  
CE(sat)  
C
Applications  
•
Induction heating and Microvewave Oven  
•
Soft switching Application  
C
G
TO-3PN  
E
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
Ratings  
1200  
±25  
Units  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
V
V
A
A
A
CES  
Gate to Emitter Voltage  
Collector Current  
GES  
o
@ T = 25 C  
40  
C
I
C
o
Collector Current  
@ T = 100 C  
20  
C
I
I
I
Pulsed Collector Current  
60  
CM (1)  
o
40  
20  
A
A
Diode Continuous Forward Current  
@ T = 25 C  
F
F
C
o
Diode Continuous Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
@ T = 100 C  
C
o
@ T = 25 C  
348  
W
W
C
P
D
o
@ T = 100 C  
174  
C
o
T
-55 to +175  
-55 to +175  
C
J
o
T
C
stg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
o
T
300  
C
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
0.43  
0.43  
40  
Units  
o
R
R
R
(IGBT)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
--  
--  
--  
C/W  
θJC  
θJC  
θJA  
o
(Diode)  
C/W  
o
C/W  
Notes:  
1: Limited by Tjmax  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGA20S120M Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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与FGA20S120M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGA20S125P FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1250V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, PL
FGA20S125P-SN00336 ONSEMI

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 		IGBT，1250V，20A，短路阳极
FGA20S140P FAIRCHILD

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 		Shorted AnodeTM IGBT
FGA20S140P ONSEMI

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 		IGBT，1400V，20A，短路阳极
FGA25N120AN FAIRCHILD

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 		IGBT
FGA25N120AND FAIRCHILD

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 		IGBT
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 		暂无描述
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