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FGA25N120ANTD

更新时间： 2024-11-06 22:05:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
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9页 868K
描述
1200V NPT Trench IGBT

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FGA25N120ANTD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：180 ns门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：312 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：90 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：354 ns标称接通时间 (ton)：110 ns
Base Number Matches：1

FGA25N120ANTD 数据手册

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August 2005  
FGA25N120ANTD  
1200V NPT Trench IGBT  
Features  
Description  
•
•
NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient  
Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT  
technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction  
and switching performances, high avalanche ruggedness and  
easy parallel operation.  
Low saturation voltage: V  
= 2.0V  
CE(sat), typ  
@ I = 25A and T = 25°C  
C
C
•
•
Low switching loss: E  
= 0.96mJ  
off, typ  
This device is well suited for the resonant or soft switching  
application such as induction heating, microwave oven, etc.  
@ I = 25A and T = 25°C  
C
C
Extremely enhanced avalanche capability  
C
G
TO-3P  
E
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
CES  
Description  
Collector-Emitter Voltage  
FGA25N120ANTD  
Units  
V
V
V
1200  
Gate-Emitter Voltage  
20  
V
GES  
I
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
50  
25  
A
C
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
A
C
I
I
I
Pulsed Collector Current (Note 1)  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
75  
A
CM  
@ T = 100°C  
25  
A
F
C
150  
A
FM  
P
@ T  
=
25°C  
312  
W
W
°C  
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
125  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
300  
J
T
stg  
T
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
θJC  
θJC  
θJA  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case for IGBT  
Thermal Resistance, Junction-to-Case for Diode  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
0.4  
2.0  
40  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGA25N120ANTD Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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FGA25N120ANTD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 Incorporated into the device is a rugged coâˆ

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