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FGA20S125P-SN00336

更新时间: 2024-09-19 11:14:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1977K
描述
IGBT,1250V,20A,短路阳极

FGA20S125P-SN00336 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:2.03最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:1250 V门极发射器阈值电压最大值:7.5 V
门极-发射极最大电压:25 V最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):250 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

FGA20S125P-SN00336 数据手册

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FGA20S125P  
1250 V, 20 A 阳极短路 IGBT  
概述  
特性  
高速开关  
Fairchild阳极短IGBT采用先进的场截止沟槽和阳极短路技术,  
可以为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并联配  
置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。  
低饱和电压:VCE(sat) = 2.0 V @ IC = 20 A  
高输入阻抗  
符合 RoHS 标准  
应用  
感应加热、微波炉  
C
G
TO-3PN  
E
G
C
E
绝对最大额定值 TC = 25°C 除非另有说明  
符号 描述  
FGA20S125P-SN00336  
单位  
VCES  
VGES  
1250  
±25  
40  
V
V
A
A
集电极-发射极之间电压  
栅极-发射极间电压  
集电极电流  
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
IC  
20  
集电极电流  
ICM (1)  
集电极脉冲电流  
60  
A
A
IF  
IF  
40  
二极管正向连续电流  
@ TC = 25°C  
20  
250  
A
二极管正向连续电流  
最大功耗  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
W
W
°C  
°C  
PD  
125  
最大功耗  
TJ  
工作结温  
-55 +175  
-55 +175  
Tstg  
存储温度范围  
用于焊接的最大引脚温度,距离外壳 1/8",持续 5 秒  
TL  
300  
°C  
热性能  
符号  
RθJC(IGBT)  
RθJA  
参数  
结至外壳热阻  
典型值  
最大值  
0.6  
单位  
°C/W  
°C/W  
--  
--  
40  
结至环境热阻  
注:  
1: 受限于最大结温  
Publication Order Number:  
FGA20S125PCN/D  
© 2014 飞兆半导体公司  
December-2017, Rev. 3  

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