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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 180 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 7.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 312 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 90 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 354 ns | 标称接通时间 (ton)： | 110 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGA25N120ANTDTU | FAIRCHILD |
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1200 V, 25 A NPT Trench IGBT |
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| FGA25N120ANTDTU_F109 | FAIRCHILD |
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1200V, 25A, NPT Trench IGBT, 3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED, 450/RAIL |
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| FGA25N120ANTDTU_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| FGA25N120ANTDTU-F109 | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| FGA25N120ANTDTU-F109 | ONSEMI |
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IGBT，1200V，25A，NPT 沟槽 |
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| FGA25N120ANTU | ROCHESTER |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FGA25N120FTD | FAIRCHILD |
获取价格 |
1200V, 25A Field Stop Trench IGBT |
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| FGA25N120FTDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FGA25N12ANTD | FAIRCHILD |
获取价格 |
1200V NPT Trench IGBT |
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| FGA25N135AND | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1350V V(BR)CES, N-Channel |
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