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FGA25N120ANTDTU_F109

更新时间： 2024-09-18 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 604K
描述
1200V, 25A, NPT Trench IGBT, 3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED, 450/RAIL

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FGA25N120ANTDTU_F109 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3PN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：2.22Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：1200 V
最大降落时间（tf）：180 ns门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：312 W最大上升时间（tr）：90 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FGA25N120ANTDTU_F109 数据手册

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July, 2007  
FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109  
tm  
1200V NPT Trench IGBT  
Features  
Description  
•
NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient  
Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT  
technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction  
and switching performances, high avalanche ruggedness and  
easy parallel operation.  
•
Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 2.0V  
@ IC = 25A and TC = 25°C  
•
•
Low switching loss: Eoff, typ = 0.96mJ  
@ IC = 25A and TC = 25°C  
This device is well suited for the resonant or soft switching appli-  
cation such as induction heating, microwave oven, etc.  
Extremely enhanced avalanche capability  
C
G
TO-3PN  
G
C
E
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
FGA25N120ANTD  
Units  
V
VCES  
VGES  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
1200  
± 20  
V
Collector Current  
@ TC  
=
25°C  
50  
A
Collector Current  
@ TC = 100°C  
25  
A
ICM  
IF  
Pulsed Collector Current (Note 1)  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
90  
A
@ TC = 100°C  
25  
A
IFM  
PD  
150  
A
@ TC  
=
25°C  
312  
W
W
°C  
°C  
°C  
@ TC = 100°C  
125  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
300  
Tstg  
TL  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case for IGBT  
Thermal Resistance, Junction-to-Case for Diode  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
0.4  
2.0  
40  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FGA25N120ANTD / FGA25N120ANTD_F109 Rev. B2  
1234567...9

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FGA25N120ANTDTU_F109 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FGA25N120ANTDTU FAIRCHILD

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