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FGA25N120ANTDTU

更新时间： 2024-09-18 12:02:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管双极性晶体管栅PC
页数 文件大小 规格书
9页 786K
描述
1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

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FGA25N120ANTDTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.83
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：866137Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor IGBTSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-3P_1Samacsys Released Date：2018-02-23 11:25:42
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-609代码：e3
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：312 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FGA25N120ANTDTU 数据手册

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April 2013  
FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109  
1200 V, 25 A NPT Trench IGBT  
Features  
•
NPT Trench Technology, Positive Temperature Coefficient  
Description  
•
Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2.0 V  
@ IC = 25 A and TC = 25C  
Using Fairchild®'s proprietary trench design and advanced NPT  
technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction  
and switching performances, high avalanche ruggedness and  
easy parallel operation. This device is well suited for the reso-  
nant or soft switching application such as induction heating,  
microwave oven.  
•
•
Low Switching Loss: Eoff, typ = 0.96 mJ   
@ IC = 25 A and TC = 25C  
Extremely Enhanced Avalanche Capability  
Applications  
•
Induction Heating, Microwave Oven  
C
G
TO-3P  
E
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Description  
FGA25N120ANTD  
Unit  
V
VCES  
VGES  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
1200  
20  
V
Collector Current  
@ TC  
=
25C  
50  
A
Collector Current  
@ TC = 100C  
25  
A
ICM (1)  
IF  
Pulsed Collector Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
90  
A
@ TC = 100C  
25  
A
IFM  
PD  
150  
A
@ TC  
=
25C  
312  
W
W
C  
C  
C  
@ TC = 100C  
125  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
300  
Tstg  
TL  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
Notes:  
(1) Repetitive rating: Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RJC(IGBT)  
RJC(DIODE)  
RJA  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Typ.  
Max.  
Unit  
--  
--  
--  
0.4  
2.0  
40  
C/W  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 Rev. C0  
1234567...9

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FGA25N120ANTDTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FGA25N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD

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