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FGA20S125P PDF预览

FGA20S125P

更新时间： 2024-11-09 21:21:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 287K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1250V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-65, TO-3PN, 3 PIN

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FGA20S125P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PN
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-65, TO-3PN, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.09
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：1250 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：25 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：250 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：670 ns标称接通时间 (ton)：331 ns
Base Number Matches：1

FGA20S125P 数据手册

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September 2013  
FGA20S125P  
1250 V, 20 A Shorted-anode IGBT  
Features  
General Description  
•
•
•
•
High Speed Switching  
Using advanced field stop trench and shorted anode technol-  
ogy, Fairchild’s shorted-anode trench IGBTs offer superior con-  
duction and switching performances for soft switching  
applications. The device can operate in parallel configuration  
with exceptional avalanche capability. This device is designed  
for induction heating and microwave oven.  
Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.0 V @ IC = 20 A  
High Input Impedance  
RoHS Compliant  
Applications  
•
Induction Heating, Microwave oven  
C
G
TO-3PN  
E
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
Ratings  
1250  
±25  
Unit  
VCES  
VGES  
Collector to Emitter Voltage  
V
V
A
A
A
Gate to Emitter Voltage  
Collector Current  
@ TC = 25oC  
@ TC = 100oC  
40  
IC  
Collector Current  
20  
ICM (1)  
Pulsed Collector Current  
60  
@ TC = 25oC  
IF  
IF  
Diode Continuous Forward Current  
40  
A
@ TC = 100oC  
@ TC = 25oC  
@ TC = 100oC  
Diode Continuous Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
20  
250  
A
W
W
oC  
oC  
PD  
125  
TJ  
-55 to +175  
-55 to +175  
Tstg  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
oC  
TL  
300  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
0.6  
Unit  
oC/W  
oC/W  
RθJC(IGBT)  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
--  
--  
40  
Notes:  
1: Limited by Tjmax  
© 2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGA20S125P Rev. C4  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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