是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSFM-T2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 1.51 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, PD-CASE | 应用: | EFFICIENCY |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON CARBIDE |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.75 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 135 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 30 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 最大功率耗散: | 273 W |
参考标准: | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压: | 1200 V |
最大反向电流: | 200 µA | 反向测试电压: | 1200 V |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FFSH20120A-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSH2065A | ONSEMI |
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SiC 二极管 - 650V,20A | |
FFSH2065ADN-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSH2065BDN | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode -?EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-247-3L | |
FFSH2065BDN-F085 | ONSEMI |
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汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,650 V | |
FFSH2065B-F085 | ONSEMI |
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汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,650 V | |
FFSH2065B-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode -?EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-247-2L | |
FFSH30120A | ONSEMI |
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SiC 二极管,1200V,30A,TO-247-2 | |
FFSH30120ADN-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSH30120A-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
SiC Diode, 1200V, 30A, TO-247-2, Schottky Diode |