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FFSH30120ADN-F155 PDF预览

FFSH30120ADN-F155

更新时间： 2024-10-29 11:15:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网功效测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 327K
描述
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D1, TO-247-3L

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FFSH30120ADN-F155 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：1.65
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY,PD-CASE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.75 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：195 W最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：200 µA反向测试电压：1200 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FFSH30120ADN-F155 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Silicon Carbide (SiC)  
Schottky Diode – EliteSiC,  
30 A, 1200 V, D1, TO-247-3L  
1. Anode  
3. Anode  
2. Cathode/  
Case  
Schottky Diode  
FFSH30120ADN-F155  
Description  
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new  
technology that provides superior switching performance and higher  
reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,  
temperature independent switching characteristics, and excellent  
thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of  
power semiconductor. System benefits include highest efficiency,  
faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and  
reduced system size and cost.  
1
2
3
TO−247−3LD  
CASE 340CH  
Features  
• Max Junction Temperature 175°C  
• Avalanche Rated 145 mJ  
• High Surge Current Capacity  
• Positive Temperature Coefficient  
• Ease of Paralleling  
MARKING DIAGRAM  
FFSH  
30120ADN  
AYWWG  
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS  
Compliant  
Applications  
• General Purpose  
• SMPS, Solar Inverter, UPS  
• Power Switching Circuits  
FFSH30120ADN  
A
YWW  
G
= Specific Device Code  
= Assembly Plant Code  
= Date Code (Year & Week)  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
FFSH30120ADN−F155/D  
January, 2023 − Rev. 4  
123456

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与FFSH30120ADN-F155相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FFSH30120A-F155 ONSEMI

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 		SiC Diode, 1200V, 30A, TO-247-2, Schottky Diode
FFSH3065A ONSEMI

获取价格

 		SiC 二极管 - 650V，30A
FFSH3065ADN-F155 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
FFSH3065B ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
FFSH3065B-F085 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS
FFSH40120A ONSEMI

获取价格

 		SiC 肖特基整流器，1200 V，40 A
FFSH40120ADN-F085 ONSEMI

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 		SiC，双裸片，1200 V，40 A
FFSH40120ADN-F155 ONSEMI

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 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
FFSH4065A ONSEMI

获取价格

 		SiC 二极管，650V，40A，TO-247-2
FFSH4065ADN-F155 ONSEMI

获取价格

 		SiC 二极管，650V，40A，TO-247-3，共阴极

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