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FFSH30120A PDF预览

FFSH30120A

更新时间： 2024-10-29 11:14:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网功效测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 373K
描述
SiC 二极管，1200V，30A，TO-247-2

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FFSH30120A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T2Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.51
其他特性：HIGH RELIABILITY, PD-CASE应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON CARBIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.75 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：230 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：46 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大功率耗散：500 W
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：200 µA
反向测试电压：1200 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

FFSH30120A 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Silicon Carbide (SiC)  
Schottky Diode – EliteSiC,  
30 A, 1200 V, D1, TO-247-2L  
1. Cathode  
2. Anode  
Schottky Diode  
FFSH30120A  
Description  
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new  
technology that provides superior switching performance and higher  
reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,  
temperature independent switching characteristics, and excellent  
thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of  
power semiconductor. System benefits include highest efficiency,  
faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and  
reduced system size and cost.  
1
2
TO−247−2LD  
CASE 340CL  
MARKING DIAGRAM  
Features  
• Max Junction Temperature 175°C  
• Avalanche Rated 361 mJ  
• High Surge Current Capacity  
• Positive Temperature Coefficient  
• Ease of Paralleling  
AYWWZZ  
FFSH  
30120A  
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS  
Compliant  
Applications  
• General Purpose  
• SMPS, Solar Inverter, UPS  
• Power Switching Circuits  
A
YWW  
ZZ  
= Assembly Plant Code  
= Date Code (Year & Week)  
= Lot Code  
FFSH30120A  
= Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
January, 2023 − Rev. 3  
FFSH30120A/D  
1234567

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与FFSH30120A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FFSH30120ADN-F155 ONSEMI

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 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
FFSH30120A-F155 ONSEMI

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 		SiC Diode, 1200V, 30A, TO-247-2, Schottky Diode
FFSH3065A ONSEMI

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 		SiC 二极管 - 650V，30A
FFSH3065ADN-F155 ONSEMI

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 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
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 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
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 		SiC 二极管，650V，40A，TO-247-2

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