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FFSH2065B-F085

更新时间： 2024-10-29 11:15:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网功效测试光电二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
6页 330K
描述
汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，650 V

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FFSH2065B-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：43 weeks 1 day风险等级：2.12
其他特性：HIGH RELIABILITY, PD-CASE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：84 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：22.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大功率耗散：148 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：650 V最大反向电流：40 µA
反向测试电压：650 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

FFSH2065B-F085 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Silicon Carbide (SiC)  
Schottky Diode – EliteSiC,  
20 A, 650 V, D2, TO-247-2L  
1.  
2.  
Anode  
Cathode  
Schottky Diode  
FFSH2065B-F085  
Description  
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new  
technology that provides superior switching performance and higher  
reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,  
temperature independent switching characteristics, and excellent  
thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of  
power semiconductor. System benefits include highest efficiency,  
faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and  
reduced system size & cost.  
TO−247−2LD  
CASE 340DA  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• Max Junction Temperature 175°C  
• Avalanche Rated 94 mJ  
• High Surge Current Capacity  
• Positive Temperature Coefficient  
• Ease of Paralleling  
AYWWZZ  
FFSH  
2065B  
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
Applications  
• Automotive HEV−EV Onboard Chargers  
• Automotive HEV−EV DC−DC Converters  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW  
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Symbol  
Parameter  
Unit  
Ratings  
650  
94  
Unit  
V
FFSH2065B = Specific Device Code  
V
RRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2  
of this data sheet.  
I
F
Continuous Rectified  
Forward Current  
@ T < 141°C  
20  
C
@ T < 135°C  
22.3  
889  
861  
84  
C
I
Non−Repetitive Peak  
Forward Surge Current  
A
A
T
T
= 25°C, 10 ms  
= 150°C, 10 ms  
F, Max  
C
C
I
Non−Repetitive Forward Half−Sine Pulse,  
Surge Current t = 8.3 ms  
= 25°C  
F, SM  
p
T
C
Ptot  
Power Dissipation  
T
= 25°C  
148  
25  
W
C
C
T
= 150°C  
T ,T  
Operating and Storage Temperature Range  
−55 to  
+175  
°C  
J
STG  
TO247 Mounting Torque, M3 Screw  
60  
Ncm  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. E of 94 mJ is based on starting T = 25°C, L = 0.5 mH, I = 19.4 A, V = 50 V.  
AS  
J
AS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
February, 2023 − Rev. 1  
FFSH2065B−F085/D  
123456

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与FFSH2065B-F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FFSH2065B-F155 ONSEMI

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 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode -?EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-247-2L
FFSH30120A ONSEMI

获取价格

 		SiC 二极管，1200V，30A，TO-247-2
FFSH30120ADN-F155 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
FFSH30120A-F155 ONSEMI

获取价格

 		SiC Diode, 1200V, 30A, TO-247-2, Schottky Diode
FFSH3065A ONSEMI

获取价格

 		SiC 二极管 - 650V，30A
FFSH3065ADN-F155 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
FFSH3065B ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS
FFSH3065B-F085 ONSEMI

获取价格

 		Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS
FFSH40120A ONSEMI

获取价格

 		SiC 肖特基整流器，1200 V，40 A
FFSH40120ADN-F085 ONSEMI

获取价格

 		SiC，双裸片，1200 V，40 A

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