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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 2.12 |
| Samacsys Description： | 650V 20A SIC SBD GEN1.5 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, PD-CASE |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 42 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大功率耗散： | 65 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 650 V |
| 最大反向电流： | 40 µA | 反向测试电压： | 650 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FFSH2065B-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，650 V |
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| FFSH2065B-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode -?EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-247-2L |
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| FFSH30120A | ONSEMI |
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SiC 二极管，1200V，30A，TO-247-2 |
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| FFSH30120ADN-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS |
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| FFSH30120A-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
SiC Diode, 1200V, 30A, TO-247-2, Schottky Diode |
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| FFSH3065A | ONSEMI |
获取价格 |
SiC 二极管 - 650V，30A |
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| FFSH3065ADN-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS |
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| FFSH3065B | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS |
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| FFSH3065B-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteS |
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| FFSH40120A | ONSEMI |
获取价格 |
SiC 肖特基整流器，1200 V，40 A |
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