是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSFM-T2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 2.14 |
Samacsys Confidence: | 2 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 1049572 | Samacsys Pin Count: | 2 |
Samacsys Part Category: | Schottky Diode | Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical |
Samacsys Footprint Name: | TO247-2L 340CL | Samacsys Released Date: | 2018-03-16 18:21:54 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, PD-CASE |
应用: | EFFICIENCY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON CARBIDE | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.75 V | JEDEC-95代码: | TO-247AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 135 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 30 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
最大功率耗散: | 273 W | 最大重复峰值反向电压: | 1200 V |
最大反向电流: | 200 µA | 反向测试电压: | 1200 V |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FFSH20120ADN-F085 | ONSEMI |
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SiC,双裸片,1200 V,20 A | |
FFSH20120ADN-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSH20120A-F085 | ONSEMI |
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SiC 硅肖特基二极管,1200V,20A | |
FFSH20120A-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSH2065A | ONSEMI |
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SiC 二极管 - 650V,20A | |
FFSH2065ADN-F155 | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteS | |
FFSH2065BDN | ONSEMI |
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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode -?EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-247-3L | |
FFSH2065BDN-F085 | ONSEMI |
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汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,650 V | |
FFSH2065B-F085 | ONSEMI |
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汽车碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,650 V | |
FFSH2065B-F155 | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode -?EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-247-2L |