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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDW2521C
FDW2521C PDF预览

FDW2521C

更新时间： 2024-11-18 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 148K
描述
Complementary PowerTrench MOSFET

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FDW2521C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A最大漏极电流 (ID)：5.5 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-153AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDW2521C 数据手册

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May 2002  
FDW2521C  
Complementary PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This complementary MOSFET device is produced using  
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has  
been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
•
Q1: N-Channel  
5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 21 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 2.5 V  
•
Q2: P-Channel  
Applications  
–3.8 A, 20 V. RDS(ON) = 43 mΩ @ VGS = –4.5 V  
DS(ON) = 70 mΩ @ VGS = –2.5 V  
R
• DC/DC conversion  
• Power management  
• Load switch  
•
•
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Low profile TSSOP-8 package  
G
2
S
Q1  
Q2  
2
1
2
3
4
8
7
6
5
S
2
D
2
G
1
S
1
S
1
D
1
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
20  
±12  
5.5  
30  
–20  
±12  
–3.8  
–30  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.0  
0.6  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
125  
208  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2521C  
FDW2521C  
13’’  
12mm  
3000 units  
FDW2521C Rev D(W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDW2521C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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